百科狗5r800ce能用什么型号的代替
IPN50R800CE。
以较低的成本替换 DPAK设计节约空间，且具有低功耗与 DPAK 相当的热性能。
英飞凌正在拓展采用 SOT-223 封装的CoolMOS? CE 产品组合，作为 DPAK 的一种高性价比替代产品，在某些设计中还可以减少占据的空间。此封装可以放置在典型的 DPAK 空间，且在热行为上的影响极小。英飞凌的 SOT-223 面向 LED 照明和移动充电器应用。
为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical?MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：
截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。
导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。
当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。
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