三星的系列NandFlash有什么区别

您好

K9F系列的是SLC结构的NANDFLASH

首先是存取次数。MLC架构理论上只能承受约1万次的数据写入，而SLC架构可承受约10万次，是MLC的10倍。这个1万次指的是数据写入次数，而非数据写入加读取的总次数。数据读取次数的多寡对闪存寿命有一定影响，但绝非像写入那样严重。

其次是读取和写入速度。这里仍存在认识上的误区，所有闪存芯片读取、写入或擦除数据都是在闪存控制芯片下完成的，闪存控制芯片的速度决定了闪存里数据的读取、擦除或是重新写入的速度。SLC技术被开发的年头远早于MLC技术，与之相匹配的控制芯片技术上已经非常成熟。

第三是功耗。SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据，故只有高和低2种电平状态，使用1.8V的电压就可以驱动。而MLC架构每Cell需要存放多个bit，即电平至少要被分为4档（存放2bit），所以需要有3.3V及以上的电压才能驱动。

第四是出错率。在一次读写中SLC只有0或1两种状态，这种技术能提供快速的程序编程与读取，简单点说每Cell就像我们日常生活中使用的开关一样，只有开和关两种状态，非常稳定，就算其中一个Cell损坏，对整体的性能也不会有影响。在一次读写中MLC有四种状态（以每Cell存取2bit为例），这就意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压，读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性。它已经不再是简单的开关电路，而是要控制四种不同的状态，这在产品的出错率方面和稳定性方面有较大要求，而且一旦出现错误，就会导致2倍及以上的数据损坏，所以MLC对制造工艺和控制芯片有着更高的要求。

第五是制造成本。MLC技术原来每Cell仅存放1bit数据，而现在每Cell能存放2bit甚至更多数据，这些都是在存储体体积不增大的前提下实现的，所以相同容量大小的MLC

NAND Flash制造成本要远低于SLC NAND Flash。

嘿嘿 俺来帮你介绍一下各种存储器的区别吧

1 单片机中存储器的种类 比较多 常用的有：

ROM 叫掩模程序存储器 实在生产芯片时 一同将程序固定在芯片中 出厂后不可再改变了

使用起来比较麻烦 现在单片机已经很少使用了

PROM 一次性的 用户只能烧写一次 被烧断的丝 将永久损坏 不可再恢复

EPROM 是紫外线可擦除的 芯片上 带有一个窗口 可以多次使用 用紫外线照射窗口20分钟

可以修复被烧的丝 修复后又成为一个空白芯片 可以再次烧写用户程序

EEPROM 为电擦除的 不用插拔 可以在线擦除 能够多次反复使用 可烧写次数一般达

到1万 次以上 但擦写速度要比RAM读写存储器要慢好几个数量级。

FLASH ROM 实际上就是 RAM存储器 在芯片中植入一个微型电源 可以像ROM一样

保证信息不丢失 但由于是RAM 读写的速度快 故叫 闪存

呵呵 满意 就给加分吧

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