手机芯片8纳米与5纳米外形区别

七纳米和八纳米芯片的差别：沟道长度不同、单位密度不同、功耗不同。一、沟道长度不同1、三星8nm工艺：三星8nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度比台积电7nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度要短。

2、台积电7nm工艺：台积电7nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度比三星8nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度要长。

二、单位密度不同1、三星8nm工艺：三星8nm工艺所能达到的单位密度比台积电7nm工艺所能达到的单位密度要高。

2、台积电7nm工艺：台积电7nm工艺所能达到的单位密度比三星8nm工艺所能达到的单位密度要低。三、功耗不同1、三星8nm工艺：三星8nm工艺的芯片功耗比台积电7nm工艺的芯片功耗要高。

2、台积电7nm工艺：台积电7nm工艺的芯片功耗比三星8nm工艺的芯片功耗要低。

有的。

一、几寸指的晶圆大小（直径），几纳米指的晶体管之间的距离。它描述了该工艺代下加工尺度的精确度。

二、它并非指半导体器件中某一具体结构的特征尺寸，而是一类可以反映出加工精度的尺寸的平均值。

三、晶圆直径越大，且晶体管之间的距离越小，那么单片晶圆上集成的晶粒（芯片）数也越多，也就是集成度越高。所以尺寸越做越大，间距（纳米）越做越小，技术也越来越复杂。

扩展资料：

硅是由石英砂所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。

硅片广泛用于集成电路（IC）基板、半导体封装衬底材料，硅片划切质量直接影响芯片的良品率及制造成本。

硅片划片方法主要有金刚石砂轮划片、激光划片。

激光划片是利用高能激光束聚焦产生的高温使照射局部范围内的硅材料瞬间气化，完成硅片分离，但高温会使切缝周围产生热应力，导致硅片边缘崩裂，且只适合薄晶圆的划片。

超薄金刚石砂轮划片，由于划切产生的切削力小，且划切成本低，是应用最广泛的划片工艺。由于硅片的脆硬特性，划片过程容易产生崩边、微裂纹、分层等缺陷，直接影响硅片的机械性能。

同时，由于硅片硬度高、韧性低、导热系数低，划片过程产生的摩擦热难于快速传导出去，易造成刀片中的金刚石颗粒碳化及热破裂，使刀具磨损严重，严重影响划切质量

百度百科——晶圆

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