二极管,可控硅,IGBT有什么区别?
二极管不用说了吧,单向导通,可以实现整流;
可控硅也叫晶闸管,分双向和单向,单向可控硅也是单向导通,可以实现整流,但它通过控制导通角可以实现可控整流程
IGBT:绝缘栅场效应晶体管,作用类似三极管,但在这里当开关管用(不能用于放大状态),通过控制G极可以实现C,E两端的通断。一般可用在逆变回路中。
从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET(VDMOS)的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT的衬底为P型;从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合,通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻,但同时也会引入一些拖尾电流等问题;从产品来说,IGBT一般用在高压功率产品上,从600V到几千伏都有;MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右;
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