前照式cmos和背照式cmos的区别

优点:拥有更高的宽容度（可以被理解为高光部分不容易溢出、而低光部分不容易欠曝）拥有更快的数据吞吐率（通常都支持高速连拍、甚至全高清视频拍摄）拥有更佳的低光照成像能力（高感光度下的成像表现大大优于传统产品）在传感器上的微透镜性能更为提升。

缺点:不是说配备了了它的数码相机拍照就很牛。因为决定数码照片的画质除了核心部件传感器外，还有镜头以及处理算法等因素。

传统CMOS都是前照式结构，如上图左边所示，其组成结构由上到下依次是：片上透镜、滤光片、金属排线（电路层）、光电二极管以及基板。

背照式结构的CMOS最早出现于2008年，其基本组成与传统CMOS一样，只是排布顺序不一样。如上图右边所示，由上到下依次是：片上透镜、滤光片、光电二极管以及基板、金属排线（电路层）。

前照式与背照式CMOS的区别很好理解，一种是电路层位于感光二极管前面，一种是电路层位于感光二极管后面。如上图所示，前照式CMOS的金属电路挡在受光面前面，这样会损失很多光线，真正能够被感光二极管接收和利用的光线只剩70%甚至更少。

很显然，背照式CMOS极大提高了光线利用率，可以提高传感器灵敏度，最明显的改善就是低照度环境下成像质量更高。

3MOS、CMOS、CCD传感器有什么区别？

一、什么是BIOS：

BIOS是微机的基本输入输出系统(Basic Input-Output Sysytem)，其内容集成在微机主板上的一个ROM芯片上，主要保存着有关微机系统最重要的基本输入输出程序，系统信息设置、开机上电自检程序和系统启动自举程序等。

二、什么是CMOS：

CMOS本义上是指互补金属氧化物半导体存储器，是一种大规模应用于继承电路芯片制造的原料。在计算机领域，它是微机主板上的一块可读写的RAM芯片，主要用来保存当前系统的硬件配置和操作人员对某些参数的设置。

三、两者之间的联系：

BIOS中的系统设置程序是完成CMOS参数设置的手段，即通过BIOS设置程序对CMOS参数进行设置。CMOS既是BIOS设置系统参数的存放场所，又是BIOS设置系统参数的结果。

四、两者之间的区别：

最本质的区别是bios保存系统的重要信息和设置系统参数的设置程序（BIOSSetup程序)，而cmos是主板上的一块可读写的RAM芯片，里面装的是关于系统配置的具体参数，其内容可通过设置程序进行读写。

BIOS是电脑中最基础的而又最重要的程序。把这段程序放在不需要供电的记忆体（芯片）BIOS中。CMOS是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料，是微机主板上的一块可读写的RAM芯片。

百度百科-BIOS

百度百科-COMS

MOS是Metal Oxide Semiconductor 金属氧化物半导体全写是金属-氧化层-半导体-场效应晶体管，又简称金氧半场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）COMS是互补式金属-氧化层-半导体（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS，简称互补式金氧半）3MOS是利用分光介质先将光源分散为红绿蓝三色再投影到感光介质上成像的技术，不管，CCD 或 CMOS，基本上两者都是利用矽感光二极体（photodiode）进行光与电的转换。这种转换的原理与各位手上具备“太阳电能”电子计算机的“太阳能电池”效应相近，光线越强、电力越强；反之，光线越弱、电力也越弱的道理，将光影像转换为电子数字信号。 比较 CCD 和 CMOS 的结构，ADC的位置和数量是最大的不同。简单的说，CCD每曝光一次，在快门关闭后进行像素转移处理，将每一行中每一个像素（pixel）的电荷信号依序传入“缓冲器”中，由底端的线路引导输出至 CCD 旁的放大器进行放大，再串联 ADC 输出；相对地，CMOS 的设计中每个像素旁就直接连着 ADC（放大兼类比数字信号转换器），讯号直接放大并转换成数字信号。 CCD CMOS 两者优缺点的比较

设计 单一感光器 感光器连接放大器

灵敏度 同样面积下高 感光开口小，灵敏度低

成本 线路品质影响程度高，成本高 CMOS整合集成，成本低

解析度 连接复杂度低，解析度高 低，新技术高

噪点比 单一放大，噪点低 百万放大，噪点高

功耗比 需外加电压，功耗高 直接放大，功耗低 由于构造上的基本差异，我们可以表列出两者在性能上的表现之不同。CCD的特色在于充分保持信号在传输时不失真（专属通道设计），透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理，可以保持资料的完整性；CMOS的制程较简单，没有专属通道的设计，因此必须先行放大再整合各个像素的资料。 整体来说，CCD 与 CMOS 两种设计的应用，反应在成像效果上，形成包括 ISO 感光度、制造成本、解析度、噪点与耗电量等，不同类型的差异： ISO 感光度差异：由于 CMOS 每个像素包含了放大器与A/D转换电路，过多的额外设备压缩单一像素的感光区域的表面积，因此 相同像素下，同样大小之感光器尺寸，CMOS的感光度会低于CCD。 成本差异：CMOS 应用半导体工业常用的 MOS制程，可以一次整合全部周边设施于单晶片中，节省加工晶片所需负担的成本 和良率的损失；相对地 CCD 采用电荷传递的方式输出资讯，必须另辟传输通道，如果通道中有一个像素故障（Fail），就会导致一整排的 讯号壅塞，无法传递，因此CCD的良率比CMOS低，加上另辟传输通道和外加 ADC 等周边，CCD的制造成本相对高于CMOS。 解析度差异：在第一点“感光度差异”中，由于 CMOS 每个像素的结构比 CCD 复杂，其感光开口不及CCD大， 相对比较相同尺寸的CCD与CMOS感光器时，CCD感光器的解析度通常会优于CMOS。不过，如果跳脱尺寸限制，目前业界的CMOS 感光原件已经可达到1400万 像素 / 全片幅的设计，CMOS 技术在量率上的优势可以克服大尺寸感光原件制造上的困难，特别是全片幅 24mm-by-36mm 这样的大小。 噪点差异：由于CMOS每个感光二极体旁都搭配一个 ADC 放大器，如果以百万像素计，那么就需要百万个以上的 ADC 放大器，虽然是统一制造下的产品，但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在，很难达到放大同步的效果，对比单一个放大器的CCD，CMOS最终计算出的噪点就比较多。 耗电量差异：CMOS的影像电荷驱动方式为主动式，感光二极体所产生的电荷会直接由旁边的电晶体做放大输出；但CCD却为被动式， 必须外加电压让每个像素中的电荷移动至传输通道。而这外加电压通常需要12伏特（V）以上的水平，因此 CCD 还必须要有更精密的电源线路设计和耐压强度，高驱动电压使 CCD 的电量远高于CMOS。 尽管 CCD 在影像品质等各方面均优于CMOS，但不可否认的CMOS具有低成本、低耗电以及高整合度的特性。 由于数码影像的需求热烈，CMOS的低成本和稳定供货，成为厂商的最爱，也因此其制造技术不断地改良更新，使得 CCD 与 CMOS 两者的差异逐渐缩小 。新一代的CCD朝向耗电量减少作为改进目标，以期进入照相手机的行动通讯市场；CMOS系列，则开始朝向大尺寸面积与高速影像处理晶片统合，藉由后续的影像处理修正噪点以及画质表现， 特别是 Canon 系列的 EOS D30 、EOS 300D 的成功，足见高速影像处理晶片已经可以胜任高像素 CMOS 所产生的影像处理时间与能力的缩短；另外，大尺寸全片幅则以 Kodak DCS Pro14n、DCS Pro/n、DCS Pro/c 这一系列的数码机身为号召，CMOS未来跨足高阶的影像市场产品，前景可期。

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