解释电力电子器件si产品和sic的区别

SI器件和SIC器件的比较两者主要是性能不同。

SiC是什么?

碳化硅(SiC)是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或 β-SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α-SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使SiC可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能。

相比于Si器件，SiC功率器件的优势：

作为一种宽禁带半导体材料，SiC对功率半导体可以说是一个冲击。这种材料不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点。具体来看，其导热性能是Si材料的3倍以上;在相同反压下，SiC材料的击穿电场强度比Si高10倍，而内阻仅是Si片的百分之一。SiC器件的工作温度可以达到600℃，而一般的Si器件最多能坚持到150℃。

因为这些特性，SiC可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于Si 器件难以胜任的场合。以SiC肖特基二极管为例，它是速度最快的高压肖特基二极管，无需反向恢复充电，可大幅降低开关损耗、提高开关频率，适用于比采用硅技术的肖特基二极管高得多的操作电压范围，例如，600V SiC肖特基二极管可以用在SMPS中，300V SiC肖特基二极管可以用作48~60V快速输出开关电源的整流二极管，而1，200V SiC肖特基二极管与硅IGBT组合后可以作为理想的续流二极管。

采用硅材料的MOSFET在提高器件阻断电压时，必须加宽器件的漂移区，这会使其内阻迅速增大，压降增高，损耗增大。阻断电压范围在1，200~1，800V的硅MOSFET不仅体积大，而且价格昂贵。IGBT虽然在高压应用时可降低导通功耗，但若开关频率增加时，开关功耗亦随之增大。因此IGBT在高频开关电源上亦有其本身的限制。而用SiC做衬底的MOSFET，可轻易做到1，000～2，000伏的MOSFET，其开关特性(结电容值，开关损耗，开关波型等)则与100多伏的硅MOSFET相若，导通电阻更可低至毫欧值。在高压开关电源应用上，完全可取代硅IGBT并可提高系统的整体效率以及开关频率。

价格差异：

单就Si器件和SiC器件的价差来看，确实有较大的差异，但如果从SiC器件带来的系统性能提升来看，将会发现其带来的总体效益远远超过两类器件的价差。在SiC特别适合的高压应用中，如果充分发挥SiC器件的特性，这一整体优势表现得非常明显。

假面骑士人偶分类有哪些啊，比如shf，掌动，盒蛋，真骨雕，sic什么的，有什么不同

碳化硅必然是发展的趋势，用的会越来越多，其二极管没有反向恢复电流，这一点是无比强大的，目前肖特基二极管只能到200V，高压肖特基只有碳化硅，没有反向电流就意味着没有反向恢复尖峰，EMI降低、二极管关断损耗大减、稳定性提高、工作频率大增。。。。各种优点。其MOS管结电容非常小，同样使得其工作频率提高很多，关断损耗减小。

首先SHF是万代的一个可动人型品牌，推出的角色有很多，不仅是假面骑士。SHF和真骨雕都是同属SHF，真骨雕可视为SHF的一个分支。官方以前介绍过真骨雕的开发过程比一般SHF复杂一点，真骨雕一般是推出以往出过的款式，比例、还原度比以往的更好一些。SIC的比例比SHF大很多，风格在原设的基础上重新设计，和SHF那种影视作品的原设造型有很大区别。盒蛋、掌动这些同样也不止假面骑士一个系列，盒蛋、掌动这些一般价格比较低廉，设计比较简约，也有一些比较贵做工好的盒蛋。SHF、SIC是中高端的成品玩具，对象年龄15岁以上，当然这是产品的定义，你有钱不管几岁都可以买。假面骑士人偶还有RAH BM这种12寸人偶，类似剧中皮套（道具服装）的一种玩具，还原度更高，详细区别可以自己进一步了解。

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