EMI和EMC电路中磁珠和电感起到的不同作用
磁珠和电感在解决emi和emc方面各与什么作用,首先我们来看看磁珠和电感的区别,电感是闭合回路的一种属性,多用于电源滤波回路,而磁珠主要多 用于信号回路,用于emc对策磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰,而电感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。
磁珠和电感在解决emi和emc方面各与什么作用,首先我们来看看磁珠和电感的区别,电感是闭合回路的一种属性,多用于电源滤波回路,而磁珠主要多 用于信号回路,用于emc对策磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰,而电感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。磁珠是用来吸收超高频信号,象一些rf电 路,pll,振荡电路,含超高频存储器电路(ddr sdram,rambus等)都需要在电源输入部分加磁珠,两者都可用于处理emc、emi问题。
磁 珠和电感在emi和emc电路中关键是是对高频传导干扰信号进行抑制,也有抑制电感的作用。但从原理方面来看,磁珠可等效成一个电感,等于还是存在一定的 区别,最大区别在于电感线圈有分布电容。因此,电感线圈就相当于一个电感与一个分布电容并联。如图1所示。图1中,lx为电感线圈的等效电感(理想电 感),rx为线圈的等效电阻,cx为电感的分布电容。
理论上对传导干扰信号进行抑制,要求抑制电感的电感量越大越好,但对于电感线圈来说,电感量越大,则电感线圈的分布电容也越大,两者的作用将会互相抵消。
电感线圈的阻抗开始的时候是随着频率升高而增大的,但当它的阻抗增大到最大值以后,阻抗反而随着 频率升高而迅速下降,这是因为并联分布电容的作用。当阻抗增到最大值的地方,就是电感线圈的分布电容与等效电感产生并联谐振的地方。图中,l1 > l2 > l3,由此可知电感线圈的电感量越大,其谐振频率就越低。从图2中可以看出,如果要对频率为1mhz的干扰信号进行抑制,选用l1倒不如选用l3,因为 l3的电感量要比l1小十几倍,因此l3的成本也要比l1低很多。
如果我们还要对抑制频率进一步提高,那么我们最后选用的电感线圈就只好是它的最小极限值,只有1圈或不到1圈了。磁珠,即穿心电感,就是一个匝数小于1圈的电感线圈。但穿心电感比单圈电感线圈的分布电容小好几倍到几十倍,因此,穿心电感比单圈电感线圈的工作频率更高。
穿 心电感的电感量一般都比较小,大约在几微亨到几十微亨之间,电感量大小与穿心电感中导线的大小以及长度,还有磁珠的截面积都有关系,但与磁珠电感量关系最 大的还要算磁珠的相对导磁率uy.图3、图4是分别是指导线和穿心电感的原理图,计算穿心电感时,首先要计算一根圆截面直导线的电感,然后计算结果乘上磁 珠相对导磁率 就可以求出穿心电感的电感量。
磁珠的作用是消耗掉能消耗的多余能量(纹波).磁珠标识单休是欧姆,如220Ω@100MHz.常见大多数磁珠都是在100MHz下标注的.选磁珠要看其特性曲线,一般是要虑掉低频信号上的几十到百MHz的高频噪音.
电容是最常用的分立器件.电容的作用一共三种,分别是 旁路,退耦,AC耦合.所谓的滤波大多数时候指的是旁路.旁路电容一般根据所要旁路的信号的频率来选取,也是要看电容的频响曲线的.高频信号的处理要比较小心,慎用(会影响信号完整性,又是另一个方面,有人感兴趣再写).常见的电源通路上的电容的作用大多是退耦.退耦的一般理解为防止上级和下级的耦合(真实定义要问度娘…),最终目的就是减少电源上的纹波(这又是电源完整性,又另一个方面…).这时选取电容值要根据上级电源类型个下级mos频率来决定.一般电源输出会看见跟着两个电容,一大一小.大电容的作用就是一般是做储能退偶,小的是虑掉电源mos的开关噪音.后级器件的电源输入一般的电容是用来虑掉mos开关瞬时纹波.
电感!在弱电领域!不要用来滤波!上面说了,磁珠是能耗器件,纹波会自身消耗掉,电容虽然储能,但是有对地的泄放通路.如果串电感滤波,你让噪声的能量去哪里?回源级?影响信号源质量.去下级?还是噪声.所以,电感在信号处理上只用来调匹配.在电源上,只用来做DC-DC的储能电感.
这样,基本就明白了,一些常见的低频信号和电源上,都可以用磁珠和电容滤波.而磁珠的成本高,所以一般要针对特定的高频噪声时才用.例如就要虑掉百MHz左右的噪声.对于一些对电源质量要求较高的情况,也可以用磁珠率高频噪声(不用电容是因为电容可能会出现不能胜任的情况,因为越高频的电容,容量越小).电容多用于电源退耦.常见的22uF 10uF一般是DC-DC的整流,1uF 0.1uF是虑开关噪声.
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