slc,mlc,tlc闪存芯片颗粒哪个好?有什么区别
LC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命;
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500-1000次擦写寿命。
结论:SLC > MLC > TLC
目前大多数U盘都是采用TCL芯片颗粒,其优点是价格便宜,不过速度一般,寿命相对较短。
而SSD固态硬盘中,目前MLC颗粒固态硬盘是主流,其价格适中,速度与寿命相对较好,而低价SSD固态硬盘普遍采用的是TCL芯片颗粒,大家在购买固态硬盘的时候,可以在产品参数中去了解,
SLC颗粒固态目前主要在一些高端固态硬盘中出现,售价多数上千元,甚至更贵。
请问SSD中闪存颗粒TLC和MLC有什么区别?它们分别能写多少数据?谢谢大家!!!
由于闪存颗粒中存储密度存在差异,所以闪存又分为SLC、MLC、TLC和QLC。简单的说,NAND闪存的基本原理,QLC容量大,但性能也变差了。
SLC:每个Cell单元存储1bit信息,也就是只有0、1两种电压变化,结构简单,电压控制也快速,反映出来的特点就是寿命长,性能强,P/E寿命在1万到10万次之间,但缺点就是容量低而成本高,毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。
MLC:每个cell单元存储2bit信息,需要更复杂的电压控制,有00,01,10,11四种变化,这也意味着写入性能、可靠性能降低了。其P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等。
TLC:每个cell单元存储3bit信息,电压从000到001有8种变化,容量比MLC再次增加1/3,成本更低,但是架构更复杂,P/E编程时间长,写入速度慢,P/E寿命也降至1000-3000次,部分情况会更低。寿命短只是相对而言的,通常来讲,经过重度测试的TLC颗粒正常使用5年以上是没有问题的。
QLC或者可以叫4bit MLC,电压有16种变化,但是容量能增加33%,就是写入性能、P/E寿命与TLC相比会进一步降低。具体的性能测试上,美光有做过实验。读取速度方面,SATA接口中的二者都可以达到540MB/S,QLC表现差在写入速度上。
因为其P/E编程时间就比MLC、TLC更长,速度更慢,连续写入速度从520MB/s降至360MB/s,随机性能更是从9500 IOPS降至5000 IOPS,损失将近一半。
分类
按种类分
U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡。
按品牌分
矽统(SIS)、金士顿、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者、纽曼、威刚、联想、台电、微星、SSK、三星、海力士。
以上内容参考:百度百科-闪存
在U盘、SSD等固态存储产品中,闪存芯片颗粒是核心,其关乎产品成本、寿命以及速度。闪存芯片颗粒主要有三种类型,分别为SLC、MLC、TLC,三者之间的区别,如下。
slc、mlc、tlc闪存芯片颗粒区别介绍
SLC = Single-Level Cell
,即1bit/cell,速度快寿命长,价格贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命;
MLC = Multi-Level
Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命
TLC =
Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500-1000次擦写寿命。
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