精神分裂症和精神病有什么区别？

强迫症（Obsessive-compulsive neurosis，缩写OCD）是以强迫观念和强迫动作为主要表现的一种神经症。以有意识的自我强迫与有意识的自我反强迫同时存在为特征，患者明知强迫症状的持续存在毫无意义且不合理，却不能克制的反复出现，愈是企图努力抵制，反愈感到紧张和痛苦。病程迁延者可以仪式性动作为主要表现，虽精神痛苦显著缓解，但其社会功能已严重受损。

国外报道一般人口中的患病率为0.05～1%，占精神科病人总数的0.1～2%。国内流行学调查的本症时点患病率为0.3‰。通常于青壮年期起病，性别分布上无显著性差别。

儿童强迫症是强迫症的一类,是一种明知不必要，但又无法摆脱，反复呈现的观念、情绪或行为。在儿童期，强迫行为多于强迫观念，年龄越小这种倾向越明显，本症多见于10-12岁的儿童，患儿智力大多正常。

较为直观的症状表现，可以观看美国**《火柴男人》中尼古拉斯凯奇饰演的角色。

精神分裂症在精神疾病中是一组最多见的疾病，在精神科的门诊及住院部本病患者约占就诊人数的2／3。大多数患者在年富力强的青年时期起病，以25岁左右为最多，也有不少在15～40岁之间的少年和壮年时间起病，大多起病缓慢，少数呈急性或亚急性。

病程多为冗长，从数月至数十年。如不及时治疗常会反复发作或迁延不愈。当疾病在高峰期，患者的工作、学习、生活、社会交往等均适应不良，客观检查发现情感、思维、意志行为的互相不协调，即精神活动有分裂现象。

但患者对本身的疾病却毫无认识，往往拒绝就医，即使家人勉强将其带至医院，大多也不愿意接近医生，不愿意诉述自身的感觉，都认为自己没有病不需要诊病更不需要服药或接受其他治疗。

此时如果家人给以迁就，往往会使疾病拖延治疗，拖延过久不治，会反复发作或逐步发展为慢性，到了疾病的晚期则逐渐变为精神衰退，此时病者变成整日无所事事的徘徊或独坐一隅，对任何人任何事物均不感兴趣，漠不关心，不与亲人来往，学习工作上毫无要求也没有什么打算，甚至连生活上必需要的吃饭、喝水、个人卫生等均需别人照料。

所以精神分裂症把本来精力最充沛、对社会贡献最大的黄金时代夺去了，除了患者本人健康受到了很大损失以外， 还给家属及单位的同志带来了精力上及经济上的负担，精神上带来了痛苦。所以该疾病一当发现即应及时治疗，以减少疾病的迁延与复发。在变态心理及精神疾病中精神分裂症是最值得我们重视与研究的问题。

精神分裂症的病象都是变态心理，它的表现形式多种多样，十分繁杂，可以说是“千变万化”，不仅不同的病人症状不一样，就是同一病人，每次患病及同次患病的不同时期也表现不一样，但如能掌握其“万变不离其宗”的要领，就可以把这个病区别出来。该病的主要表现是精神活动(也称心理活动)脱离现实，在知觉、情感、思维及意志行为之间互相不协调及互相影响，而导致学习、工作、生活、社交等适应能力降低，因此常不能维持原来的学习工作能力，原来的生活习惯方式也变为异常。下面谈谈该疾病各时期的表现：

一、早期

大部分患者无明显诱因下缓慢起病，许多病状是在不知不觉中逐渐形成。最早被发现很多时候独自呆坐似在思考问题，生活较前懒散，纪律松弛，做事注意力不集中，常漫不经心，学习成绩下降，与其谈话话题不多，语句简单、内容单调，逐渐对人冷淡，疏远亲人，本来很有兴趣的事物也不感兴趣。

偶然可发现有一两句话不可理解或“牛头不对马嘴”，或有时有点奇怪的行为。如突然发怒摔烂东西，或为一点小事执拗与人纠缠不休，无理取闹，莫名其妙地伤心落泪或欣喜。此时常易被误会为“思想问题”或性格改变。有部分患者会诉说：时有头晕、头痛、失眠、记忆力差、注意力不集中、全身疲倦无力等不适，也有表现为怕脏，反复洗手，无故心慌恐惧，心烦意乱等，也常常被误诊为神经衰弱。

部分患者可因躯体有病或精神受刺激等因素诱发，突然出现失眠、兴奋、言语与行为明显异常，少数会出现短暂意识不清并有片断性幻觉妄想或呆着不动成为木僵状态等。

二、充分期

此期为精神分裂症明显显露特征性病状时期，其表现如下：

1．思维障碍也称联想过程障碍，较轻病状时为思维散漫，病者讲话或写文章时，每句话文法结构尚通顺，但上下句之间或上下文之间缺乏连贯性，因而整段讲话或文章使人无法理解其中心内容。病状严重时加重思维破裂，不仅句与句之间无联系，每个语句也不完整，好象语词的杂拌或语句的堆积，紊乱得支离破碎，好象一个文盲的人乱按打字机所打出来的文章。

有的可表现为思维中断，与人谈话时突然停顿片刻，再接下讲时己转变了话题。

此外还有思维涌现，即脑子内不由自主地冒出一连串毫无联系语句，有如泉水一般涌出，病者想压也压不住。有时又觉似被别人施加外力把一些思想插入或挤入脑袋中，是别人强加于自己的，这种感觉叫强制性思维。还有的表现为思维贫乏，与他坐在一起，如果你不提出问题就只有相对无言，对问话的回答也非常简单，多重复单调地答“是”或“不是”。另有些病者向你叙述事情时仅讲了三言两语就认为表达了许多含意，认为别人已详纫了解其要说的内容了，这称为病理性简述。

病人对事物的思考和推理常缺乏逻辑性，对事物的判断分析不符合现实规律，不符合一般情理，却自认为很有道理。缺乏逻辑性的表现形式有语词新作和病理象征性思维。病人创作一些图案、符号、文字或动作，以表示他自己才能理解的概念。如写“女男”表示结婚，举起弯曲的末指表示欢迎。

病理性象征性思维是因为病者把抽象的概念与具体事物混淆不清。如一男青年经常保持双膝关节不屈以表示坚强，坚强是抽象概念，双膝关节的位置是具体事物，两者混为一谈。还有一中年工人不准许女儿买黑毛线回家打毛衣，妥买只能买红的，以表示他这家人走“红线”(革命路线)不走“黑线”。

思维障碍还包括思维内容的障碍的部分病者会存在各种各样的妄想，以被害及关系妄想最多见，其次夸大、嫉妒、等妄想也常见。这些妄想可以单一或多种同时存在且互相影响。例如有一青年搭公共汽车时旁边坐着两位解放军，下车后在马路上行走前后都有摩托车，则推想自己是个大人物，不然为什么上街有解放军保护和有摩托车开路。在家听到邻居在打扑克，传来断续的声音说：“枪毙……糟了……出错啦……”，又推想“他们嫉妒我是个大人物，给我加上犯错误的罪名，要拉我去枪毙了”。这个病者同时存在夸大、关系、被害三种妄想且互相关联及渗透。

2．情感障碍是精神分裂症的主要症状之一。病者在安 静时表现冷淡，对周围事物无兴趣，不关心，与亲人疏远，告知重大事件时无动于衷，喜欢一人独坐房中，甚至连吃饭也不与亲人一起吃。有时会出现兴奋激动或焦虑抑郁等反应，但大多与周围环境无联系而是受幻觉妄想所支配，有时其情感与周围环境极不协调，为亲人开追悼会的时候他却站在一旁自笑。其情感也常与思维内容不协调，如笑嘻嘻的叙述她的悲惨遭遇。

3．意志行为障碍我们每个人的行为都是受自己的意志所支配，如要完成某项任务必须决心克服一切困难才行。病者无论对学习或工作都无责任心，抱无所谓的态度，对近期或远期的打算也不考虑，整天无所事事地呆坐、卧床或无目的地徘徊，甚至日常生活的吃饭、洗脸、换衣服、梳头理发等也是被动的。有时可因幻觉妄想的影响而自语、自笑或作出打人毁物、自伤等行为。

以上提过的病者在思维、情感与行为三方面不协调也是主要的特征，这些特征常从病者日常的事例可以找得到。

三、后期

病者经过积极治疗以后，可能有几种不同的转归：一部分经治疗后病况逐渐好转而达到痊愈，愈后可以恢复其原来工作。部分病人虽经努力治疗但不易完全控制症状，常呈反复发作。部分患者虽病况好转但遗留淡漠、孤僻、少语、学习工作不主动等症状。也有些遗留性格改变，对什么事都采取无所谓的态度，对社会及家庭均无责任心。少部分逐渐发展为精神衰退，即除了本能地感到饥饿时主动吃东西外无所要求，终日呆坐一隅或蒙头大睡，不与任何人接触，生活全部需别人照顾。

在精神分裂症的充分期，临床医生为了治疗与护理的方便，常把典型表现的病人分为四种类型。

双通道内存 双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组，它与RDRAM内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对RDRAM的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔 865、875系列，而AMD方面则是NVIDIA Nforce2系列。

双通道内存技术是解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在CPU的FSB（前端总线频率）越来越高，英特尔 Pentium 4比AMD Athlon XP对内存带宽具有高得多的需求。英特尔 Pentium 4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR（Quad Data Rate，四次数据传输）技术，其FSB是外频的4倍。英特尔 Pentium 4的FSB分别是400、533、800MHz，总线带宽分别是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在单通道内存模式下，DDR内存无法提供CPU所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下，双通道DDR 266、DDR 333、DDR 400所能提供的内存带宽分别是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在这里可以看到，双通道DDR 400内存刚好可以满足800MHz FSB Pentium 4处理器的带宽需求。而对AMD Athlon XP平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR（Double Data Rate，双倍数据传输）技术，FSB是外频的2倍，其对内存带宽的需求远远低于英特尔 Pentium 4平台，其FSB分别为266、333、400MHz，总线带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用单通道的DDR 266、DDR 333、DDR 400就能满足其带宽需求，所以在AMD K7平台上使用双通道DDR内存技术，可说是收效不多，性能提高并不如英特尔平台那样明显，对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板。

NVIDIA推出的nForce芯片组是第一个把DDR内存接口扩展为128-bit的芯片组，随后英特尔在它的E7500服务器主板芯片组上也使用了这种双通道DDR内存技术，SiS和VIA也纷纷响应，积极研发这项可使DDR内存带宽成倍增长的技术。但是，由于种种原因，要实现这种双通道DDR（128 bit的并行内存接口）传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。DDR SDRAM内存和RDRAM内存完全不同，后者有着高延时的特性并且为串行传输方式，这些特性决定了设计一款支持双通道RDRAM内存芯片组的难度和成本都不算太高。但DDR SDRAM内存却有着自身局限性，它本身是低延时特性的，采用的是并行传输模式，还有最重要的一点：当DDR SDRAM工作频率高于400MHz时，其信号波形往往会出现失真问题，这些都为设计一款支持双通道DDR内存系统的芯片组带来不小的难度，芯片组的制造成本也会相应地提高，这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。

普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减50%。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DIMM内存条，此时双通道DDR简单地调整到最低的内存标准来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。

支持双通道DDR内存技术的台式机芯片组，英特尔平台方面有英特尔的865P、865G、865GV、865PE、875P以及之后的915、925系列；VIA的PT880，ATI的Radeon 9100 IGP系列，SIS的SIIS 655，SIS 655FX和SIS 655TX；AMD平台方面则有VIA的KT880，NVIDIA的nForce2 Ultra 400，nForce2 IGP，nForce2 SPP及其以后的芯片。

AMD的64位CPU，由于集成了内存控制器，因此是否支持内存双通道看CPU就可以。目前AMD的台式机CPU，只有939接口的才支持内存双通道，754接口的不支持内存双通道。除了AMD的64位CPU，其他计算机是否可以支持内存双通道主要取决于主板芯片组，支持双通道的芯片组上边有描述，也可以查看主板芯片组资料。此外有些芯片组在理论上支持不同容量的内存条实现双通道，不过实际还是建议尽量使用参数一致的两条内存条。

内存双通道一般要求按主板上内存插槽的颜色成对使用，此外有些主板还要在BIOS做一下设置，一般主板说明书会有说明。当系统已经实现双通道后，有些主板在开机自检时会有提示，可以仔细看看。由于自检速度比较快，所以可能看不到。因此可以用一些软件查看，很多软件都可以检查，比如cpu-z，比较小巧。在“memory”这一项中有“channels”项目，如果这里显示“Dual”这样的字，就表示已经实现了双通道。两条256M的内存构成双通道效果会比一条512M的内存效果好，因为一条内存无法构成双通道。

DDR和DDR2的区别

严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。

从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。

DDR2内存起始频率从DDR内存最高标准频率400Mhz开始，现已定义可以生产的频率支持到533Mhz到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz，工作电压为1.8V。DDR2采用全新定义的240 PIN DIMM接口标准，完全不兼容于DDR的184PIN DIMM接口标准。

DDR2和DDR一样，采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但是最大的区别在于，DDR2内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDR2拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDR2则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输能力，而是，在采用更低发热量，更低功耗的情况下，反而获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

DDR2与DDR的区别

与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。

DDR2与DDR的区别示意图

与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。

然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。

DDR2的定义：

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2与DDR的区别：

在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

1、延迟问题：

从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

2、封装和发热量：

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术：

除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决

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