mos场效电晶体p型和n型如何区分？

mos场效电晶体p型和n型如何区分？ MOS场效电晶体分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。

mos场效电晶体在金属栅极与沟道之间有一层二氧化矽绝缘层，因此具有极高的输入电阻。

结型场效电晶体在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效电晶体。

场效电晶体

简介

场效应电晶体（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效电晶体。主要有两种型别（junction FET—JFET)和金属 -

氧化物半导体场效电晶体（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型电晶体。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于整合、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型电晶体和功率电晶体的强大竞争者。

特点

与双极型电晶体相比，场效电晶体具有如下特点。

场效电晶体是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；

场效电晶体的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极体组成放大电路的电压放大系数；

场效电晶体的抗辐射能力强；

由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

作用

场效电晶体可应用于放大。由于场效电晶体放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

场效电晶体很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

场效电晶体可以用作可变电阻。

场效电晶体可以方便地用作恒流源。

场效电晶体可以用作电子开关。

N型场效电晶体和场效电晶体有什么区别 N型场效电晶体和MOS管有什么区别

1. 场效电晶体（FET）分为MOS场效电晶体（MOSFET）和结型场效电晶体（JFET）。现在主要使用MOS场效电晶体，即通常所称的MOS管。

2. 每种场效电晶体都有P型和N型两种管子。型别是依据沟道的型别来定的，沟道为N型沟道（电子），管子就为N型，沟道为P型沟道（空穴），管子就为P型。

3. MOS是金属（Metal）-氧化物（Oxide）-半导体（Semiconductor）的简称，即栅-二氧化矽-矽。JFET中的J代表Junction，即“结”，表示PN接面的结。FET代表Field Effect Transistor，即场效电晶体。

4. 场效电晶体包括了MOS管和结型管，每种管子又有N型和P型。现在的各种教材和文献中提到的一般都是MOS管。

mos场效电晶体包括结型场效电晶体吗？

严格的说应该不包括。MOS代表 金属-氧化层-半导体 的意思，而结型场效电晶体没有氧化层。

电晶体，结型场效电晶体，耗尽型场效电晶体特性曲线如何区分？

特性曲线除了极性，耗尽、增强，有明显的区别外，从曲线形状上看三者并无多大的区别，先生如对三者不太熟悉何不从原理上用一般万用表测试来理解并判断效能优劣

mos场效电晶体和结型场效电晶体有什么区别

mos场效电晶体在金属栅极与沟道之间有一层二氧化矽绝缘层，因此具有极高的输入电阻。

结型场效电晶体在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效电晶体。

场效电晶体（MOS）三个脚怎么区分？N和P怎么区分？

场效电晶体的栅极相当于电晶体的基极，源极和漏极分别对应于电晶体的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。 根据场效电晶体的PN接面正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效电晶体的三个电极：若两次测出的电阻值均很大，说明是PN接面的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效电晶体，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN接面，即是正向电阻，判定为P沟道场效电晶体，黑表笔接的也是栅极。

如何判断分结型场效电晶体，绝缘栅型场效电晶体

场效电晶体分结型场效电晶体、绝缘栅型场效电晶体两大类。

1.结型场效电晶体（JFET）因有两个PN接面而得名，绝缘栅型场效电晶体（IGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。由于绝缘栅型的栅极为金属铝，所以又称为MOS管。

2.绝缘栅型又可分为增强型和耗尽型，其中耗尽型是添加了离子的。

如何判断分结型场效电晶体、绝缘栅型场效电晶体：

结型场管脚识别场效电晶体的栅极相当于电晶体的基极，源极和漏极分别对应于电晶体的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G.对于有4个管脚的结型场效电晶体，另外一极是遮蔽极（使用中接地）。判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很大，说明均是反向电阻，该管属于N沟道场效电晶体，黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效电晶体的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效电晶体的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。

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