BJT和MOSFT的EMI/EMC区别

EMC,电磁兼容性，Electromagnetic Compatibility的缩写，定义为：电子设备既不干扰其它设备，同时也不受其它设备的影响。电磁兼容性和我们所熟悉的安全性一样，是产品质量最重要的指标之一。安全性涉及人身和财产，而电磁兼容性则涉及人身和环境保护。

EMI，电磁干扰，Electromagnetic Interference的缩写。定义为：电磁波会与电子元件作用，产生干扰现象。例如，TV荧光屏上常见的“雪花”，表示接受到的讯号被干扰。

功率MOSFET场效应管从驱动模式上看，属于电压型驱动控制元件，驱动电路的设计比较简单，所需驱动功率很小。采用功率MOSFET场效应作为开关电源中的功率开关，在启动或稳态工作条件下，功率MOSFET场效应管的峰值电流要比采用双极型功率晶体管小得多。功率场效应管与双极型功率晶体管之间的特性比较如下：　　1. 驱动方式：场效应管是电压驱动，电路设计比较简单，驱动功率小；功率晶体管是电流驱动，设计较复杂，驱动条件选择困难，驱动条件会影响开关速度。　　2. 开关速度：场效应管无少数载流子存储效应，温度影响小，开关工作频率可达150KHz以上；功率晶体管有少数载流子存储时间限制其开关速度，工作频率一般不超过50KHz。　　3. 安全工作区：功率场效应管无二次击穿，安全工作区宽；功率晶体管存在二次击穿现象，限制了安全工作区。　　4. 导体电压：功率场效应管属于高电压型，导通电压较高，有正温度系数；功率晶体管无论耐电压的高低，导体电压均较低，具有负温度系数。　　5. 峰值电流：功率场效应管在开关电源中用做开关时，在启动和稳态工作时，峰值电流较低；而功率晶体管在启动和稳态工作时，峰值电流较高。　　6. 产品成本：功率场效应管的成本略高；功率晶体管的成本稍低。　　7. 热击穿效应：功率场效应管无热击穿效应；功率晶体管有热击穿效应。　　8. 开关损耗：场效应管的开关损耗很小；功率晶体管的开关损耗比较大。

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