什么是DDR技术

严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。

从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。

DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。

DDR和DDR2，DDR3，区别在那里

1.首先回答一下DDR和SDR的区别。

传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输，而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量，这也是DDR的意义——Double Data Rate，双倍数据速率。举例来说，DDR266标准的DDR SDRAM能提供2.1GB/s的内存带宽，而传统的PC133 SDRAM却只能提供1.06GB/s的内存带宽。

一般的内存条会注明CL值，此数值越低表明内存的数据读取周期越短，性能也就越好，DDR SDRAM的CL常见值一般为2和2.5两种。

DDR

DDR是双倍数据速率(Double Data Rate)。DDR与普通同步动态随机存储器（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（现在被称为SDR）与标准DRAM有所不同。

标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚，采用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通（RAS）锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后，列地址选通（CAS）锁存第二地址字。经过RAS和CAS，存储的数据可以被读取。

同步动态随机存储器（SDR DRAM)由一个标准DRAM和时钟组成，RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示，可以预测数据和剩余指令的位置。因而，数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性，所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式，可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同源的数据进行再现。

DDR存储器与SDR存储器工作原理基本相同，只不过DDR在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据。新一代DDR存储器的工作频率和数据速率分别为200MHz和266MHz，与此对应的时钟频率为100MHz和133MHz。

SDR

DRAM是动态存储器(Dynamic RAM)的缩写SDRAM是英文SynchronousDRAM的缩写，译成中文就是同步动态存储器的意思。从技术角度上讲，同步动态存储器(SDRAM)是在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机)，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的DRAM，且也需时钟进行刷新。可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns。

2.接下来回答什么你的内存bank交错的意思

内存检查显示bank交错4路是你的主板支持Bank交错，内存交错使SDRAM内存各个面的刷新时钟信与读写时钟信号能够交错出现，这可以实现CPU在刷新一个内存面的同时对另一个内存面进行读写，这样就不必花费专门的时间来对各个内存面进行刷新。而且在CPU即将访问的一串内存地址分别位于不同内存面的情况下，内存面交错使CPU能够实现在向后一个内存面发送地址的同时从前一个内存面接收数据，从而产生一种流水线操作的效果，提高了SDRAM内存的带宽。因此，有人甚至认为启用内存交错对于系统性能的提高比将内存CAS延迟时间从3改成2还要大。

不过，内存交错是一个比较高级的内存设置选项，有一些采用VIA 694X芯片组的主板由于BIOS版本较旧，可能没有该设置项，这时可以升级主板的BIOS。如果在最新版的BIOS中仍未出现该设置项，那就只有通过某些VIA芯片组内存BANK交错开启软件，如WPCREdit和相应的插件(可以从“驱动之家”网站下载)来修改北桥芯片的寄存器，从而打开内存交错模式。

3.2-3-3-6的含义

这个是你的内存时序，标准写法是CL-tRCD-tRP-tRAS，这几个符号的含义分别是：CL（CAS Latency）：“内存读写操作前列地址控制器的时间”，

tRCD（RAS-to-CAS Delay）“行寻址至列寻址延迟时间”，

tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间”

tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”。

最后如果你要买一条一样的内存只要记着购买相同品牌，相同频率也就是DDR400还是DDR333，一般来说没有太大问题。

中国星坤的DDR和DDR2，DDR3是内存类型的命名。DDR是Double Data Rate的缩写，指的是内存能够在每个时钟周期内进行两次数据传输。而DDR2则是DDR的进化版，DDR2在每个时钟周期能够进行4次数据传输，相对于DDR来说提升了传输带宽。同样地，DDR3是DDR2的进化版，每个时钟周期能够进行8次数据传输。

因此，DDR、DDR2和DDR3之间的区别主要体现在传输速度和带宽上。DDR3相对于DDR2在传输速度和带宽方面都有所提升，这对于提高计算机的性能和数据处理能力非常重要。此外，DDR3还采用了低电压技术，相对于DDR2能够降低功耗并提高能效。

需要注意的是，不同类型的内存是不兼容的，也就是说DDR内存不能与DDR2或DDR3兼容。在购买或升级内存时，需要确保选择与主板兼容的类型。

综上所述，DDR、DDR2和DDR3之间的区别主要在于传输速度、带宽和功耗等方面的提升。这些区别决定了不同类型内存的适用范围和性能表现。

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