IGBT和电力MOSFET的内部结构和开关特性的相似与不同之处
IGBT与MOSFET结构上的差别只是IGBT在VDMOS的背面增加了一个P型层。但就是增加了这么一个P型层,导致IGBT和MOSFET具有不同的工作机理和特性。
由于IGBT背面有一个P型层,IGBT在开通状态时,其N-漂移区能会发生强烈的电导调制效应,就是因为这个电导调制效应,导致IGBT的导通电阻约是MOSFET的1/3,其导通损耗较MOSFET小。但又就是因为电导调制效应,导致IGBT在关断时会存在拖尾电流,使IGBT的关断时间变长,关断损耗变大。
焊机用igbt管和mos管的区别
mos管一般用在小功率焊机上,mos管一般特性就是小电流比较稳定,成本低廉,小型号民用机用的比较多。igbt一般用在大功率焊机上,稳定性和频率比mos管更稳定,只是造价比较高,一般用在工业焊机。
根据焊机结构来说,mos管在逆变电源里使用数量比较多,单个安数在9-20a,做到较大型号的焊机,400a或者500a的时候使用数量在32-40个,长时间容易出现频率不齐的问题。igbt一般都是两个模块,只需要根据焊机型号来选择模块安数就可以了。肯定是igbt的好用。igbt是普遍用在工业机型上的元器件,耐压、电流安数、瓦数都要大很多。
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