闪存UFS3.1和闪存UFS3.0仅相差“0.1”，性能上有什么区别？

要弄清楚闪UFS3.1和闪存UFS3.0仅相差“0.1”，性能上有哪些区别？首先我们需要明白的是：什么是UFS？UFS（英文名：Universal

Flash Storage

中文名称：通用闪存存储）是一种设计用于数字相机、智能电话等电子产品使用的闪存存储规范。

它的设计目标是发展一套统一的快闪存储卡格式，在提供高数据传输速度和稳定性的同时，也可以减少消费者对于市面上各种存储卡格式的混淆和不同存储卡转接器的使用。UFS被视作eMMC和SD卡的取代者，它获得了包括诺基亚、索尼移动通信、德州仪器、意法半导体、三星、美光、SK海力士等的支持。

UFS基于小型电脑系统接口（SCSI）结构模型，使用MIPI联盟开发的M-PHY物理层，拥有2.9Gbps~5.8Gbps每线程的速度。UFS实现了一个全双工的LVDS串口，较8个平行线程的eMMC而言拥有更宽的带宽。

它相较eMMC最大的不同是并行信号改为了更加先进的串行信号，从而可以迅速提升高频率，同时半双工改为全双工。UFS的历史进程2011年，JEDEC固态技术协会（JEDEC）研发了UFS

1.0标准，2012年6月发表了V1.1，2013年9月，发表了UFS2.0标准。2016年3月推出了2.1版本，2018年1月推出了3.0版本，2020年推出了3.1版本。

UFS3.1和UFS3.0的区别从理论最大带宽来说，两者其实都是23.2Gbps的理论最大带宽，并没有什么变化，这也为一度的被网友误解为“体验不明显”的理论依据。UFS3.1和UFS3.0的区别主要体现在2个层面，第一个层面就是不同品牌、不同品质颗粒之间的规格差异，在同样UFS2.1传输模式下都会造成速度有区别，它才是木桶的这块短板。

闪存实际读写速率远低于外部接口速率，我们早在UFS2.1时代就见识过了，在UFS3.0以及UFS3.1上同样是如此的。另一个层面，则是UFS3.1所引入的新技术造成了新能差异。

新发布的UFS3.1新增了四项新特性，包括三项是强制和一项非强制。这三项中第一个是Write

Boost，原理类似SSD的虚拟SLC技术，在这种技术下可以先将TLC虚拟成SLC，也就是在8bit存储空间里只写入2bit数据，这样原本使用8中电压写入变成了只使用2种电压，避免频繁调压造成写入延迟增大，闪存的写入速度也就提升了，之后可以再利用其它空闲时间整理数据，这样一来用户就根本察觉不到。

另外两项则是对硬件起到保护作用的技术，DeepSleep可以让设备进入新升级了的低功耗状态，确保手机在闲置时能更省电。绝大多数时候手机都是闲置的，所以引入这项技术之后可能会让用户感知更直观一些。第三项技术Performance

Throttling

Notification，它可以在闪存温度过高时通知系统限制读写性能给硬件降温，说通俗一些就是手机闪存终于有了温控了。

Host

Performance

Booster（HPB）属于非强制性的技术，Realme王伟刚在网上给我们做了简单的科普。当我们存储一个文件的时候，这个文件在逻辑上是完整的，但写入到闪存芯片里却分成了无数块，放在了无数个位置。所以需要一个“逻辑到物理映射表”，也就是L2P

Map将他们联系起来按图索骥。

手机数据存储是逐步趋于碎片化的，随着手机使用的越久，L2P

Map也会变得越来越大，检索也变得越来越困难，而一般放在主控缓存甚至放在闪存里被调用，这样速度很慢，这是手机越来越慢的原因之一。HPB技术就是把L2P

Map读取到内存里，让手机的读取大大提速。

而转移到内存后，即时使用了很久，也不会因为L2P

Map变复杂导致读取性能明显下降。这项技术最早由三星开发，已经是几年前的旧技术了。三星本意借助该技术用内存取代SSD的缓存，这样可以降低SSD成本，谁知如今被用来给手机提速。

不过这不是新技术而且非强制，甚至可以和UFS3.1完全无关，有没有HPB就完全取决于手机产商了。所以，UFS3.1相较与UFS3.0到底提升了什么？这是一个不能给出标准答案的问题，不管基于那种态度都能找到支持的理由，但对于使用体验的影响确实有限。它也就仅仅成为了UFS3.1，而不是UFS4.0.至少以现阶段来说，手机读写性能还是取决于使用什么品质的闪存，而不是采用什么接口的标准。

　UFS4.0闪存这是三星最新发布的最新的内存版本，那么这次的迭代更新做了哪些方面的改变？这里我为大家带来最新的手机数码资讯，可以更好的了解一些手机的配置。

　UFS4.0闪存是什么意思

　5月4日早间消息，三星半导体宣布已经成功开发出业内性能最佳的UFS 4.0(Universal Flash Storage)存储芯片，并且已经通过JEDEC固态存储协会的认证批准。

　性能方面，UFS 4.0的每通道带宽速度增至23.2Gbps，是UFS 3.1的两倍。基于三星的第七代V-NAND闪存和自研主控，实测连续读速可达4200MB/s、连续写速可达2800MB/s。

　可做对比的是，目前业内性能最好的三星512GB UFS 3.1闪存芯片(2020年3月发布)，标称连续读速最高2100MB/s，写速1200MB/s。这样换算的话，写入提升了1.3倍。

　在提速的同时，单位功耗居然还低了。按照三星的说法，每1mA电流可承载6MB/s的读速，比前一代提高46%，这意味着用户可以获得更长的电池续航时间。

　另外，UFS 4.0闪存芯片的封装尺寸只有11x13x1mm，最大容量1TB。

　据悉，三星UFS 4.0闪存将于今年三季度投入量产，换言之，最快下半年应该就能见到相关手机问世，比如三星自家的Galaxy Z Fold 4、Z Flip 4以及明年的S23系列等。

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