ECC ,R-ECC,FBD ECC内存分别是什么意思？有什么区别？

ECC是“”的简写，中文名称是“错误检查和纠正”。ECC是一种能够实现“错误检查和纠正”的技术，ECC内存就是应用了这种技术的内存，一般多应用在服务器及图形工作站上，这将使整个电脑系统在工作时更趋于安全稳定

R-ECC “RAMBUS Error Checking and Correcting”RAMBUS是一项挑战传统主内存设计的全新DRAM结构以及接口标准，是由RAMBUS公司和INTEL公司合作提出的一项专利技术。与较早的内存技术相比,Rambus技术的速度惊人，它以高达800MHz的速度透过一个称为“Direct Rambus Channel”的狭窄16位汇流排传输资料，它的高传输速度是透过一项使内存能够在时钟周期波峰及波谷执行作业的 “double clocked”功能。

FBD即Fully-buffer DIMM（全缓存模组技术），它是一种串行传输技术，可以提升内存的容量和传输带宽.是Intel在DDR2、DDR3的基础上发展出来的一种新型内存模组与互联架构，既可以搭配现在的DDR2内存芯片，也可以搭配未来的DDR3内存芯片。FB-DIMM可以极大地提升系统内存带宽并且极大地增加内存最大容量。

DDR3和DDR4的区别如下：

一、外观不一样

一般情况下DDR4内存金手指触点达到了284个，而且每一个触点间距只有0.85mm，DDR3内存金手指触点是240个，因为这一改变，DDR4的内存金手指部分也设计成了中间稍突出，边缘收矮的形状，在中央的高点和两端的低点用平滑曲线过渡。

二、内存频率不一样

DDR3内存的最高频率只能达到了2133；而DDR4内存的起始频率就已经达到了2133，产品的最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4对比DDR3提升空间很大。

三、功耗不一样

DDR4功耗明显很低，一般电压达到1.2V，上一代DDR3内存，采用1.5V标准电压，而DDR4内存则降低为1.2V，甚至可以做到更低，功耗下降了，并且可以减少内存的发热。

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