可控硅、MOSFET、IGBT、GTO是电压触发还是电流触发，它们在作用上有什么区别与联系

可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。

MOSFET和IGBT是电压控制器件，类似于场效应管，可通过栅极电压控制其导通和关断，开关速度高于GTO，由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高，后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。

它们共同的作用就是可以用较小的电流（或电压）去控制较大的电流，同时都具有单向导电性，均可作为整流和逆变元件使用，。

但相比之下，可控硅的应用范围相对狭窄，但因为这些器件中，可控硅是最廉价的，工艺成熟，可做成高压、大电流，所以在整流、大功率的同步逆变、调功等装置中还是有较大优势。

IGBT与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性，所以被广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。

扩展资料

可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所示。双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。

这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。

今日半导体元件的材料通常以硅为首选，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最著名的例如IBM使用硅与锗的混合物所发展的硅锗制程。

而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓，因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件。

参考资料：

百度百科-可控硅

百度百科-MOSFET

百度百科-IGBT

IGBT晶体管和GTO可关断晶闸管使用上有什么区别

多元集成就是将多个晶闸管集成成了一个，类似于多芯CPU。GTO工作于临界饱和区，普通晶闸管工作于深度饱和区，GTO要达到很大的工作电流必须将多个GTO并连起来增大工作电流，就像单个CPU速度达不到要求时讲几个CPU集成在一块硅片上成为多芯CPU。

GTO的电压、电流容量比IGBT的大，主要用于大功率领域，但它的驱动电路技术难度也大，而且价位高，不受到推广。而IGBT是集合了MOSFET和GTR的优点，有耐压高、电流大、工作频率高、通态压降低、驱动功率小、无二次击穿、安全工作区宽、热稳定性好等优点。且它的制作技术比较成熟，应用领域非常广泛，所以比较受需要快速低损耗领域的青睐 。答案已给，如果满意请给分。谢谢

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