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nor flash和nand flash的区别

桃子11个月前 (12-02)阅读数 10#综合百科
文章标签闪存器件

1. 区别

NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵,NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。优点:大存储容量,而且便宜。缺点,就是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法。

任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行

(1)NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。

(2)擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,NORFLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同,比如,4MFLASH,有的SECTOR擦除时间为60ms,而有的需要最大6S。与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms

(3)当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。

●NOR的读速度比NAND稍快一些。

●NAND的写入速度比NOR快很多。

●NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

●大多数写入操作需要先进行擦除操作。

●NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

(4)接口差别

NORflash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,因此,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

(5)容量差别:

NORflash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NANDflash只是用在8~128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储。

(6)可靠性和耐用性

-寿命(耐用性)

在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

-位交换

所有flash器件都受位交换现象的困扰。位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,在使用NAND闪存的时候,应使用EDC/ECC算法。用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

-坏块处理

NAND器件中的坏块是随机分布的,NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。

(7)易于使用

可以非常直接地使用基于NOR的闪存。在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

(8)软件支持

在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

nor flash和nand flash的区别

(9)在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序,但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器,其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此,必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器,在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行

2. 趋势

NOR Flash 生产厂商有 Intel和ST, Nand Flash厂商有Hynix,micon,Samsung,Toshiba和Fujitsu等。

2006年NAND将占据59%的闪存市场份额,NOR的市场份额将下降到41%。而到2009年时,NAND的市场份额将上升到65%,NOR的市场份额将进一步下滑到35%。

Nand 主要应用:Compacflash,Secure Digi-tal,Smartmedia,SD,MMC,Xd,PC Card,USB Sticks等。

NOR的传输效率很高,在小容量时具有很高的成本效益,更加安全,不容易出现数据故障,因此,主要应用以代码存储为主,多与运算相关。

目前,NAND闪存主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中,这两个市场的增长非常迅速。而NOR芯片主要用在手机和机顶盒中,这两个市场的增长速度相对较慢。

3. Samsung的S3C2440就能支持从NAND Flash和NOR Flash两种方式启动。

闪存和固态硬盘的区别如下:

固态硬盘和闪存区别:闪存是一种存储介质,和固态硬盘最大的区别是断电后数据仍然不会丢失,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位的。

固态磁盘(SSD)闪存驱动器使用闪存存储数据。SSD比硬盘驱动器(HDD)具有优势。硬盘具有由机械组件引起的固有延迟。固态系统没有移动部件,因此延迟更少,因此需要更少的SSD。由于大多数现代SSD都是基于闪存的,因此闪存存储是固态系统的代名词。

闪存产品现在被广泛应用于各个行业,特别是现在的手机、数码相机、摄像机等等,都大量采用闪存作为存储介质。硬盘分为固态硬盘(SSD)和机械硬盘(HDD),其中固态硬盘采用闪存颗粒来存储。

U盘=USB控制器+闪存控制器+FLASH;固态硬盘=硬盘控制器+FLASH;FLASH一般就是各种闪存芯片,一般都是NAND的片子。所以,U盘和SSD是加了控制器的闪存,而影响闪存速度的是控制器的性能,比如SSD性能高于U盘,主要靠的不是闪存的速度而是控制器的实现。

补充一点:高速U盘用的其实是硬盘机的主控芯片,所以才比一般U盘速度要快,SSD的主控一般都是32位的芯片,而山寨U盘一般是量产的8位芯片,性能差别是非常大的。

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