闪存类型slc mlc tlc qlc区别
除了主控芯片和缓存芯片以外,PCB板上其余的大部分位置都是NAND Flash闪存芯片了。NAND Flash闪存芯片又分为SLC(单层单元)和MLC(多层单元)NAND闪存:
1.SLC全称是单层式储存 (Single Level Cell),因为结构简单,在写入数据时电压变化的区间小,所以寿命较长,传统的SLC NAND闪存可以经受10万次的读写。而且因为一组电压即可驱动,所以
英特尔固态硬盘(15张)
其速度表现更好,目前很多高端固态硬盘都是都采用该类型的Flash闪存芯片。
2.MLC全称是多层式储存(Multi Leveled Cell),它采用较高的电压驱动,通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息,这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍。作为目前在固态硬盘中应用最为广泛的MLC NAND闪存,其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本,从而可以获得进入更多终端领域的契机。不过,MLC的缺点也很明显,其写入寿命较短,读写方面的能力也比SLC低,官方给出的可擦写次数仅为1万次。
3.TLC即Triple-cell-per-bit,由于采用三层存储单元,因此可以以较低的成本实现更大的容量。具体来讲,SLC只有两个电平状态,MLC则为4个,TLC则多达8个,同容量下TLC的Die的尺寸比MLC小33%,因此价格也便宜了33%。当然良品率等因素也会对价格产生影响。
由于TLC拥有多达8个电平状态,因此在电位控制上更加复杂,特别是写入速度会大受影响,延迟增加。加之如此多的电平状态,电子一旦溢出变会非常容易导致出错,难以控制,这就是为什么需要更强ECC纠错能力的原因,否则TLC闪存的寿命将会不堪一击。
1、具体含义不同:
SLC即Single Level Cell,速度快寿命长,价格较贵,约10万次擦写寿命。
MLC即Multi Level Cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000~10000次擦写寿命。
TLC即Trinary Level Cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500-1000次擦写寿命。
2、硬件情况不同:
大多数U盘都是采用TCL芯片颗粒,其优点是价格便宜,不过速度一般,寿命相对较短。而SSD固态硬盘中,MLC颗粒固态硬盘是主流,其价格适中,速度与寿命相对较好,而低价SSD固态硬盘普遍采用的是TLC芯片颗粒。
扩展资料:
固态硬盘特点
1、固态硬盘和机械硬盘相比读写速度远远胜出,这也是其最主要的功能,还具有低功耗、无噪音、抗震动、低热量的特点,这些特点可以延长靠电池供电的计算机设备运转时间。
2、固态硬盘防震抗摔性传统硬盘都是磁碟型的,数据储存在磁碟扇区里。而固态硬盘是使用闪存颗粒(即mp3、U盘等存储介质)制作而成,所以SSD固态硬盘内部不存在任何机械部件。
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