珠光体型别组织有哪几种？它们在形成条件、组织形态和效能方面有何特点？

珠光体型别组织有哪几种？它们在形成条件、组织形态和效能方面有何特点？

珠光体型别组织有哪几种？它们在形成条件、组织形态和效能方面有何特点？（1）三种。分别是珠光体、索氏体和屈氏体。

（2）珠光体是过冷奥氏体在550℃以上等温停留时发生转变，它是由铁素体和渗碳体组成的片层相间的组织。索氏体是在650～600℃温度范围内形成层片较细的珠光体。屈氏体是在600～550℃温度范围内形成片层极细的珠光体。珠光体片间距愈小，相介面积愈大，强化作用愈大，因而强度和硬度升高，同时，由于此时渗碳体片较薄，易随铁素体一起变形而不脆断，因此细片珠光体又具有较好的韧性和塑性。

贝氏体型别组织有哪几种？它们在形成条件、组织形态和效能方面有何特点？（1）两种。上贝氏体和下贝氏体。

（2）上贝氏体的形成温度在600～350℃。在显微镜下呈羽毛状，它是由许多互相平行的过饱和铁素体片和分布在片间的断续细小的渗碳体组成的混合物。其硬度较高，可达HRC40～45，但由于其铁素体片较粗，因此塑性和韧性较差。下贝氏体的形成温度在350℃～Ms，下贝氏体在光学显微镜下呈黑色针叶状，在电镜下观察是由针叶状的铁素体和分布在其上的极为细小的渗碳体粒子组成的。下贝氏体具有高强度、高硬度、高塑性、高韧性，即具有良好的综合机械效能。

珠光体型别组织有几种？它们的形态对效能有何影响？珠光体是铁素体和渗碳体的机械混合物，片层间距的结构。根据片层间距的不同又分为，珠光体，屈氏体，索氏体三种，其中珠光体间距最大！

马氏体组织有哪几种基本型别？它们在形成条件、晶体结构、组织形态、效能有何特点？马氏体的硬度与含碳量（1）两种，板条马氏体和片状马氏体。

（2）奥氏体转变后，所产生的M的形态取决于奥氏体中的含碳量，含碳量＜0.6%的为板条马氏体；含碳量在0.6—1.0%之间为板条和针状混合的马氏体；含碳量大于1.0%的为针状马氏体。低碳马氏体的晶体结构为体心立方。随含碳量增加，逐渐从体心立方向体心正方转变。含碳量较高的钢的晶体结构一般出现体心正方。低碳马氏体强而韧，而高碳马氏体硬而脆。这是因为低碳马氏体中含碳量较低，过饱和度较小，晶格畸变也较小，故具有良好的综合机械效能。随含碳量增加，马氏体的过饱和度增加，使塑性变形阻力增加，因而引起硬化和强化。当含碳量很高时，尽管马氏体的硬度和强度很高，但由于过饱和度太大，引起严重的晶格畸变和较大的内应力，致使高碳马氏体针叶内产生许多微裂纹，因而塑性和韧性显著降低。

（3）随着含碳量的增加，钢的硬度增加。

钢中贝氏体组织有哪几种主要形态，其特征及各自形成条件答：钢中主要的贝氏体组织有无碳化物贝氏体、上贝氏体、下贝氏体、粒状贝氏体等。

其中无碳化物贝氏体板条铁素体束及未转变的奥氏体组成，在铁素体之间为富碳的奥氏体，铁素体与奥氏体内均无碳化物析出，故称为无碳化物贝氏体，是贝氏体的一种特殊形态。是一种单相组织，由大致平行的铁素体板条组成。铁素体板条自奥氏体晶界处形成，成束地向一侧晶粒内长大，铁素体板条较宽，板条之间的距离也较大。

上贝氏体是一种两相组织，由铁素体和渗碳体组成。成束大致平行的铁素体板条自奥氏体晶界向一侧或两侧奥氏体晶内长入。渗碳体，有时还有残余奥氏体，分布于铁素体板之间，整体在光学显微镜下呈羽毛状，故可称上贝氏体为羽毛状贝氏体。

下贝氏体也是一种两相组织，是由铁素体和碳化物组成。但铁素体的形态及碳化物的分布均不同于上贝氏体。下贝氏体铁素体的形态与马氏体很相似?亦与奥氏体碳含量有关。含碳量低时呈板条状，含碳量高时呈透镜片状?碳含量中等时两种形态兼有。形核部位大多在奥氏体晶界上，也有相当数量位于奥氏体晶内。碳化物为渗碳体或ε-碳化物，碳化物呈极细的片状或颗粒状,排列成行,约以55~60°的角度与下贝氏体的长轴相交,并且仅分布在铁素体的内部。粒状贝氏体块状铁素体基体和富碳奥氏体区所组成。由于基中的富碳奥氏体区一般呈颗粒状,因而得名。实际上富碳奥氏体区一般呈小岛状、小河状等,形状是很不规则,在铁素体基体呈不连续平行分布。

片状珠光体，粒装珠光体组织和效能有什么区别?片状珠光体是渗碳体（碳化物）和铁素体呈片状相间隔排列，粒状珠光体是铁素体基体上分布著碳化物颗粒。片状珠光体比粒状珠光体硬度高，如果下道工序要冷加工，有时要球化退火得到粒状珠光体。一些合金工具钢在淬火前也要经过球化处理。

1.共析钢奥氏体等温转变产物的形成条件、组织形态及效能各有何特点？当温度冷却至727摄氏度时，奥氏体将发生共析转变，转变成铁素体和渗碳体的机械混合物，即珠光体。此后，在继续冷却的的过程中不再发生组织变化（三次渗碳体的析出不计），共析钢的全部室温组织全部为珠光体。铁素体因溶碳量极少，固溶强化作用甚微，故力学效能与纯铁相近。其特征是强度、硬度低，塑性、韧性好。奥氏体的力学效能与其溶碳量有关，一般来说，其强度、硬度不高，但塑性优良。在钢的轧制或者锻造时，为使钢易于进行塑性变形，通常将刚加热到高温使之成奥氏体状态。渗碳体属于金属化合物。它的硬度极高，可以划玻璃，而塑性、韧性极低，伸长率和冲击韧度近于零。珠光体含碳量为0.77%。由于渗碳体在其中起强化作用，因此，珠光体有良好的机械效能，其抗拉强度高，硬度高，且仍有一定的塑性和韧性

如何观察钢的相组织形态（如奥氏体、珠光体等）可以磨金相试样，砂纸要从粗到细的磨并且要抛光，然后用腐蚀剂腐蚀，不同的钢用不同的腐蚀剂，一般用硝酸酒精和硫酸铜溶液，在金相显微镜下观察就可以了，一般用500倍以下的倍数就够用了，如果想看更细致的组织就得上电子显微镜了，比如扫描电镜和透射电镜等。

分析各类铸铁组织的石墨形态特点，指出各类铸铁不同基体组织的形成条件，讨论各种铸铁的效能和组织关系。你还是去买本《球墨铸铁》自己看吧！我要是在这里说明白，估计得很多字！

不懂！我大学学的是材料科学与工程没有你说的这么课！

马氏体贝氏体珠光体的组织和效能有什么差别马氏体（M）是碳溶于α-Fe的过饱和的固溶体，是奥氏体通过无扩散型相变转变成的亚稳定相。板条状马氏体是低碳钢、马氏体时效钢、不锈钢等铁系合金的典型组织。片状马氏体则常见于高，中碳钢；高的强度和硬度是马氏体的主要特征之一，同时，片状马氏体脆性也比较高。

贝氏体是钢中过冷奥氏体的中温(Ms～550℃)转变产物，α-Fe和Fe3C的复相组织。温度偏高区域转变产物叫上贝氏体，外观形貌似羽毛状，冲击韧性较差。偏低温度区域转变产物叫下贝氏体（Ms～350℃）。其冲击韧性较好。

珠光体是奥氏体发生共析转变所形成的铁素体与渗碳体的共析体。其有珍珠般的光泽。其形态为铁素体薄层和渗碳体薄层交替重叠的层状复相物，也称片状珠光体。强韧性较好。

疲劳磨粒和层状磨粒的区别

结构与构造的区别

构造是研究建筑物的构成、各组成部分的组合原理和构造方法的学科。主要任务是根据建筑物的使用功能、技术经济和艺术造型要求提供合理的构造方案，作为建筑设计的依据。通俗讲建筑构造就是房屋构件怎么做，为什么这样做。具体内容里面分墙基础构造，楼面构造，楼梯构造，屋顶构造，门窗构造，还有具体分部构造等，基本就这些了。 具体国家各地还出有专门的建筑构造图集

而结构是指能够承受荷载并且维持几何不变的体系。在建筑中，由若干构件，即组成结构的单元如梁、板、柱等，连线而构成的能承受作用（或称荷载）的平面或空间体系。建筑结构因所用的建筑材料不同，可分为混凝土结构、砌体结构、钢结构、轻型钢结构、木结构和组合结构等。

岩石结构：岩石中的矿物的结晶程度，颗粒大小，和形状以及彼此间的组合方式叫结构。 (例如岩浆岩有：等粒结构，玻璃质结构等)

岩石构造：岩石中矿物集合体之间或集合体和岩石其他组成部分之间的排列方式以及填充方式叫构造.（岩浆岩的块状构造，沉积岩的层状构造等）

结构说的是细节

构造说的是整体

有关IGBT你了解多少，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型电晶体，是由BJT（双极型三极体）和MOS（绝缘栅型场效电晶体）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

结构

IGBT结构图左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极电晶体结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区 （包括P+和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极电晶体，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP（原来为NPN）电晶体提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极 N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。

工作特性

IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。

IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变数时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似。也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。

IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs（th） 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。

IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 电晶体为宽基区电晶体，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds（on） 可用下式表示

Uds（on） = Uj1 + Udr + IdRoh

式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩充套件电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。

通态电流Ids 可用下式表示：

Ids=（1+Bpnp）Imos

式中Imos ——流过MOSFET 的电流。

由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。

动态特性

IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来执行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 电晶体由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td（on） 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td （on） tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。

IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的引数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET

IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP电晶体的储存电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td（off）为关断延迟时间，trv为电压Uds（f）的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t（f1）和t（f2）两段组成，而漏极电流的关断时间

t（off）=td（off）+trv十t（f）

式中，td（off）与trv之和又称为储存时间。

IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。

正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC 生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。

IGBT 原理

方法

IGBT是强电流、高压应用和快速终端装置用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率 MOSFET 器件大幅度改进了RDS（on）特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE（sat）的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支援更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

导通

IGBT矽片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层（NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分）。如等效电路图所示（图1），其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间建立了一个J1结。 当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流（MOSFET 电流）； 空穴电流（双极）。

关断

当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子（少子）。这种残余电流值（尾流）的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极体的装置上，问题更加明显。

鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与晶片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端装置设计上的电流的不理想效应是可行的。

阻断与闩锁

当集电极被施加一个反向电压时， J1 就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩充套件。因过多地降低这个层面的厚度，将无法取得一个有效的阻断能力，所以，这个机制十分重要。另一方面，如果过大地增加这个区域尺寸，就会连续地提高压降。 第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效（IC 和速度相同） PT 器件的压降高的原因。

当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制。此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。

IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN闸流体，如图1所示。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。闸流体导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别：

当闸流体全部导通时，静态闩锁出现。 只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区 。 为防止寄生NPN和PNP电晶体的有害现象，有必要采取以下措施： 防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别。 降低NPN和PNP电晶体的总电流增益。 此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切；在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。因此，器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为1：5。

层状构造发育于沉积岩、副变质岩、火山岩中，呈层状。

片理构造是在变质岩区，由强烈变形和变质作用，使片状或板状矿物成定向排列而形成的一种面状构造。是变质岩中特有的构造。

构造一般都是指有机物的原子连线的方式，构型主要指基团的空间排列不同，特别是立体异构。

结构是用元素符号和短线表示化合物(或单质)分子中原子的排列和结合方式的式子。有机物中构造包括结构式，结构简式、短线构造式、键线构造式、路易斯构造式。其中结构式就是所有原子间都有短线连线的，画起来最复杂。

双子叶植物根与双子叶植物根茎的异常构造比较

来源：考试大

双子叶植物根常见的异常构造有四点，双子叶植物根茎常见的异常构造有两点。

双子叶植物根常见的异常构造有：

（1）多环性同心环状排列的维管束，如（怀）牛膝、川牛膝、商陆等；

（2）韧皮部维管束，如何首乌，由韧皮部的薄壁细胞恢复分裂能力而形成与原有形成层环成异心性排列的多个环状的形成层，由此形成层的分裂活动产生复合和单个的异心性环状排列的异常维管束；

（3）内涵韧皮部（又称木间韧皮部），如华山参等，即在次生木质部中包埋有次生韧皮部；

（4）木间木栓，如黄芩、秦艽，即在木质部内形成的木栓带，称为木间木栓或内涵周皮。

双子叶植物根茎常见的异常构造有：

①髓维管束，即指位于根茎髓部的维管束，如大黄根茎髓部有多个内韧型异型维管束环列或散在，每个异型维管束的射线细胞内含棕色物质，射线呈星芒状射出，形成药材断面的“星点”；

②内生韧皮部，即指位于木质部里端，在髓部的周围形成各个分离的韧皮部束，如茄科、葫芦科植物等；

③木间木栓，即在次生本质部内形成的木栓带。如甘松根茎中的木间木栓环包围一部分韧皮部和木质部，把维管柱分隔成数个束。

初生构造：植物的胚、茎端或根端的顶端分生组织细胞经过分裂、分化和生长形成的结构。由表皮、薄壁组织和维管组织组成。初生结构是低等维管植物和草本种子植物的主要组成部分，担负著吸收、光合、蒸腾和生殖等重要功能。

次生构造：岩石在成巖以后，由于构造变动和非构造变动形成的各种变形、变位现象。构造变动形成的次生构造，如褶皱、断层、节理、劈理、构造巖以及隆起、坳陷等等。

结构是从微观上说的，构造是从巨集观上说的

例如有一块砂岩，观察其后，称其具有块状构造，是因为从巨集观看，该砂岩颗粒分选较好，比较纯净

而如果有一块砂岩我们说其具有辉长结构，这主要是因为在显微镜下或者放大镜下观察其组成岩石颗粒大多数为长石和辉石，也就是说岩石的组成

不知道你清楚没，呵呵

不是，是采用拱圈拼成的

一、增补钢筋

植筋技术又称钢筋生根技术，在原有混凝土结构上钻孔，注结构胶，把新的钢筋旋转插入孔洞中。此技术广泛用于设计变更，增加梁、柱、悬挑梁、板等加固和变更工程。

二、钢筋螺栓锚固法

⒈施工准备施工前应认真阅读设计施工图，必须要将结构面清理干净，按设计图纸，放线标明钢筋锚固点的钻孔位置，钻孔位置标明后由现场负责人验线。

⒉钻孔按设计图纸要求明确螺栓锚固位置、成孔直径及锚固深度。

⒊清孔

⑴.钻孔完成后，将孔周围半径0.5米范围内灰尘清理干净，用气泵、毛刷清孔，此过程要作到三吹两刷，即吹孔三次、清刷两次，清刷完毕后，用棉丝沾丙酮，清刷孔洞内壁，使孔洞内最终达到清洁干燥；如遇较潮溼的情况，还须用加热棒，进行干燥处理。

⑵.若为水钻孔：用清水将孔内泥浆冲刷干净，用棉丝将孔擦净，等孔晾干后再进行下一道工序，如工期紧，可用加热棒进行干燥处理。

⑶.用干净棉丝将清洁过的孔洞严密封堵，以防有灰尘和异物落入。

⑷.现场负责人检查清孔工作，请总包及监理验收，做好隐检记录。

⒋钢筋清理

⑴.在钢筋端部相应位置做上标记，标示好除锈清理的长度范围；要求此长度范围大于要求锚固深度50mm。

⑵.启动磨光机，用钢丝刷将除锈清理长度范围内的钢筋表面打磨出金属光泽为止。

⑶.将除锈清理好的钢筋放在干燥处整齐码放。

⑷.用棉丝蘸丙酮，将除锈清理长度范围内的钢筋表面擦拭干净。

⑸.将所有处理完的钢筋码放整齐，报请现场负责人检查。

⒌钢筋埋植

⑴.钢筋锚固用胶的配制。（具体配比使用方法参见相应产品说明，或听从现场负责人要求）要求：按比例配制且搅拌均匀。

⑵.如为盲孔钢筋埋植：将锚固用胶注入孔洞内2/3 即可；将处理好的钢筋，除锈清理端朝向孔洞，一边向同一方向旋转，一边缓慢将钢筋插入洞内，直至到达孔洞底部为止。此时，如无锚固用胶从洞内溢位，说明注胶量不够，须将钢筋拔出，重新注胶，再次插入钢筋，直至能使胶溢位洞口。

⑶.如为通孔钢筋埋植：先将处理好的钢筋插入孔内，孔两端用环氧砂浆封堵，封堵时，须在一端留出注胶孔，另一端留出出气孔；待环氧砂浆凝固后方可进行高压注胶。将配制好的锚固用胶装入打胶筒内，安装打胶嘴；将锚固用胶通过注胶孔注入孔洞内，直至另一端出气孔溢位胶为止；而后，用环氧砂浆或其它材料将注胶孔及出气孔封堵死。

⑷.如是垂直通孔植筋，前期步骤同第3条，注胶时应从孔底部的注胶口向上注胶，以孔上部出气口出胶为宜。

⑸.对已埋植好的钢筋要做好保护工作，如挂明显标志牌等。以防锚固用胶在固化时间内，钢筋被摇摆动或碰撞，影响埋植效果。

⑹.用棉丝蘸少许丙酮，清理工作面遗留的胶及清理工作面的垃圾。注意：在清理遗留胶的时候，要小心轻缓，不得对钢筋进行摇摆或碰撞。

⑺.报请现场负责人检查。

⒍成品保护在锚固用胶固化前应对埋植好的钢筋进行必要的违挡，固定；做好标示、标牌。

三、粘钢

用粘结剂贴上钢板补强、加固的钢筋混凝土结构构件，能大大提高其原设计承载力和抗破坏能力。这是因为贴上钢板后，提高了原结构构件的配筋量，相应就提高了结构构件的抗拉、抗弯、抗剪等方面的力学效能，而这些效能是靠结构胶粘剂的良好粘结效能，把钢板与混凝土牢固地粘结在一起，形成整体，有效地传递应力，共同工作来保证的。

四、外包型钢加固

基本概念

包钢加固亦称粘结外包型钢加固法，钢筋混凝土梁柱外包型钢加固称之为包钢加固。当以乳胶水泥贴上或以环氧树脂化学灌浆等方法贴上时，称之为溼式包钢加固。适用于使用上不允许显著增大原构件截面尺寸，但又要求大幅度提高其承载能力的混凝土结构加固。

技术特点

该法受力可靠、施工简便、现场工作量较小，但用钢量较大，且不宜在无防护的情况下用于600C以上高温场所；能不增大构件截面尺寸，大幅度地提高混凝土柱的承载力。

当地下水位高于设计基底0.8m以上稍溼的粘性土、砂土、溼陷性黄土、杂填土和分层填土地基的加固处理应选用（重锤夯实法）。

五、贴上碳纤维

将抗拉强度极高的碳纤维用环氧树脂预浸成为复合增强材料（单向连续纤维）；用环氧树脂粘结剂沿受拉方向或垂直于裂缝方向贴上在要补强的结构上，形成一个新的复合体，使增强贴上材料与原有钢筋混凝 *** 同受力增大结构的抗裂或抗剪能力，提高结构的强度、刚度、抗裂性和延伸性。

施工工艺：表面处理→涂刷底胶→修补找平→胶料配制→贴上碳纤维→表面防护→检验

六、结构托换

结构托换技术是指对原有影响建筑使用功能的承重结构采用改变受力体系的方法进行的功能改造，目的是获得更大的理想使用空间。结构托换采用的方法一般为型钢托换、钢筋混凝土托换、桁架托换等。地基基础托换技术是指因城市修建的地铁或地下隧道不可避免地从楼房底下穿过，为了避免拆除重建必须对地面上的楼房进行桩基托换。该技术主要是对地下隧道穿过需切断的楼房桩基，先在其承台附近采用梁式转换层将此部份桩基承受的上部荷载传递到隧道外侧的新建桩基础上，由托换梁—新加桩组成的托换结构体系代替。同时为了确保被托换楼房在断桩和隧道通过后不产生开裂、倾斜等破坏，采取了托换梁预应力张拉、千斤顶预顶、桩底注浆等技术，桩基托换可应用微型嵌巖钢管灌注桩、砼介面连线技术等多项专利技术。

七、加大截面

增大截面加固技术，也称为外包混凝土加固技术，它是增大构件的截面和配筋，用以提高构件的强度、刚度、稳定性和抗裂性，也可用来修补裂缝等，这种加固技术适用范围较广，可加固板、梁、柱、基础和屋架等。根据构件的受力特点和加固目的的要求、构件几何尺寸、施工方便等可设计为单侧、双侧或三侧的加固，四侧包套的加固。

根据不同的加固目的和要求，此技术又可分为加大断面为主的加固，和加配筋为主的加固，或者两者兼备的加固。加大截面为主的加固，为了保证补加混凝土正常工作，亦需适当配置构造钢筋。加配筋为主的加固，为了保证配筋的正常工作，需按钢筋的间距和保护层等构造要求适当增大截面尺寸。加固中应将钢筋加以焊接，作好新旧混凝土的结合。

外表不同、形成过程不同。

1、磨粒疲劳磨粒具有光滑的表面，其表面形貌的复杂程度较低，层状疲劳磨损磨粒具有较多的孔洞或划痕数，磨粒内有明显的空洞，层状疲劳磨损磨粒很薄，有不规则的外形。

2、疲劳磨粒是磨擦表面由于发生疲劳成片状剥落的碎屑。层状磨粒是剥落的磨粒。

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