介质有自由电荷吗?与导体的区别在哪里?
我感觉电动力学老是把自由电荷与与净余电荷两个概念弄混淆,所以才出现了您的问题。当然这也是让我困惑和思考的问题,我给出了如下的一种解释,有不足的地方希望进一步讨论。
自由电荷指的是可以自由移动的电荷,而不是净余电荷。即使物体中有自由电荷,整个物体也可能不带电,比如一个不带电导体内部存在许多可以自由移动的自由电荷,但它是不带电的,因为整体的正负电荷代数和为0。而带电,则意味着存在净余电荷,即正负电荷的代数和不为0。
理想介质不存在自由电荷,所有电子和原子核都被束缚着,这正是理想介质的定义。
那理想介质可不可以存在净余电荷呢?下面就是我的理解了:
理想介质不仅不存在自由电荷,而且也不存在净余电荷,为什么呢?可以设想一个情况:令一个不带电的理想介质与一个带正电的物体接触再分开,从实际情况容易知道,两者会电荷均分,理想介质会带上正电荷。这就意味着发生了电荷转移,有正电荷从带电体转移到了理想介质上,不过我们知道原子核是不会转移的,实际上是理想介质的电子转移到了带正电的物体上。然而这就与我们前面对理想介质的定义矛盾了,因为前面说了理想介质的电子被紧紧束缚着,不可能转移到另一个物体上,否则就不是理想介质。
对此,可以给出这样的结论:上面提到的实际情况中的介质不是理想介质,我们暂且把它叫作实际介质,对于实际介质,虽然它的电子也被原子核束缚着,但束缚能力毕竟有限,再加上电子的概率分布,因此它就可以与其他物体发生电荷交换,我们常在题目中看到的带电介质就是这种实际介质。而理想介质的完全束缚使得它既无自由电荷,也不会有净余电荷,始终是个电中性的不带电体。
将类似的思考应用到理想导体和实际导体上,可以得出以下总结:
理想介质:不存在自由电荷,也不存在净余?电荷,始终是电中性的不带电体(在电场中会有极化电荷与电场相互作用,不过这与我们现在讨论的问题无关)。电子全部被完全束缚,电导率为0,完全的绝缘体。
实际介质:不存在自由电荷,但可以存在净余电荷,带上净余电荷的方式是与其他物体之间发生电荷转移,能发生电荷转移的原因是原子核对电子的束缚能力有限,电子被几乎完全束缚。电导率极小,近似的绝缘体。
理想导体:存在自由电荷,不存在原子核对电子的束缚,可以存在净余电荷,与其他物体之间和在自身内部发生电荷转移的时候没有任何阻力。电导率为无穷大,电阻率为0,超导体。
实际导体:存在自由电荷,原子核对电子轻微束缚,与其他物体和在自身内部电荷转移时几乎没有任何阻力,电导率极大,电阻率极小。
导体和半导体区别介绍如下:
一、概念不同
1、导体
导体(conductor)是指电阻率很小且易于传导电流的物质。导体中存在大量可自由移动的带电粒子称为载流子。在外电场作用下,载流子作定向运动,形成明显的电流。
2、半导体
半导体( semiconductor),指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。
二、分类不同
1、导体
1)第一类导体
金属是最常见的一类导体。金属中的原子核和内层电子构成原子实,规则地排列成点阵,而外层的价电子容易挣脱原子核的束缚而成为自由电子,它们构成导电的载流子。
2)第二类导体
电解质的溶液或称为电解液的熔融电解质也是导体,其载流子是正负离子。实验发现,大部分纯液体虽然也能离解,但离解程度很小,因而不是导体。
3)其他导电介质
电的绝缘体又称为电介质。它们的电阻率极高,比金属的电阻率大1014倍以上。绝缘体在某些外界条件(如加热、加高压等)影响下,会被“击穿”,而转化为导体。绝缘体或电介质的主要电学性质反映在电导、极化、损耗和击穿等过程中。
2、半导体
半导体材料很多,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物(砷化镓、磷化镓等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物)。
以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体(镓铝砷、镓砷磷等)。除上述晶态半导体外,还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。
三、特性不同
1、导体
1)热敏特性
半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。
2)光敏特性
半导体的电阻率对光的变化十分敏感。有光照时、电阻率很小;无光照时,电阻率很大。
3)掺杂特性
在纯净的半导体中,掺人极微量的杂质元素,就会使它的电阻率发生极大的变化。
2、半导体
半导体五大特性∶掺杂性,热敏性,光敏性,负电阻率温度特性,整流特性。
1)在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。
2)在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。
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