标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为：结型场效应管，多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管，双栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体....
有以下两点区别：1、定义不同VAS是目测类比评分法；而VRS是口述分级评分法。2、条件不同VAS评分是通过医生目测患者的疼痛程度，得出的一个评分；而VRS是患者本人口述疼痛程度，描述以疼痛从最轻到最强的顺序排列。部分病人包括老年人和文化教育...
一、指代不同1、耗尽型：即在0栅偏压时就能够导电的器件。2、增强型：即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。二、特点不同1、耗尽型：场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互...
漏极电流Id与漏源电压Vds和栅源电压Vgs皆有关系。以N沟道增强型MOS管为例：当Vgs一定时，Id随Vds的增大出现先增大再恒定最后激增的现象；当Vgs>Vgsth增加时，Id也随之呈增大趋势。以上是宏观特性，其微观特性依据沟道间...
NMOS和PMOS的版图区别在于PMOS要形成P沟道（PNP），所需载流子为空穴，开关速度慢。NMOS要形成N沟道（NPN），所需载流子为电子e，开关速度快。NMOS为N型金属—氧化物—半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管...
在黄土高原丘陵沟壑区各级沟道中兴建缓洪拦泥淤地工程，用以拦蓄径流泥沙、控制沟蚀，充分利用水沙资源，改变农业生产基本条件，改善当地生态环境，促进区域经济发展，效果十分明显，是该地区人民群众首创的一项独特的水土保持工程措施;它不同于国外的留淤坝...
场效应管好坏测量1．判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。2．判定源极S、漏极D在源-漏之间有一个PN结，...
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